商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,8.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 598pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- SOT323
- 丝印：KFT
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换
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