TP65H070LSG-TR
TP65H070LSG-TR
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TP65H070LSG-TR
- 商品编号
- C7401584
- 商品封装
- PQFN-3(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
TP65H070L系列650V、72mΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)为常关型器件。它们结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和低压硅MOSFET技术,具备卓越的可靠性和性能。 与硅器件相比,Transphorm的GaN器件通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷,提高了效率。
商品特性
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 动态导通电阻(RDS(on) eff)生产测试
- 稳健设计,体现在:
- 本征寿命测试
- 宽栅极安全裕量
- 瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷(QRR)
- 降低的交越损耗
- 符合RoHS标准且无卤封装
应用领域
-数据通信-广泛的工业领域-光伏逆变器-伺服电机
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