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AZ3133-04F

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商品参数

参数完善中

AZ3133 - 04F采用包含浪涌额定二极管阵列的设计，用于保护电子系统中的高速数据接口。AZ3133 - 04F专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）、雷击和电缆放电事件（CDE）引起的过压损坏和闩锁效应。

AZ3133 - 04F是一种独特的设计，在单个封装中集成了浪涌额定、低电容导向二极管和独特设计的钳位单元（等效于TVS二极管）。在瞬态条件下，导向二极管将瞬态电流引导至电源线或地线。内部独特设计的钳位单元可防止电源线上出现过压，保护任何下游组件。

AZ3133 - 04F可用于满足IEC 61000 - 4 - 2标准4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）的ESD抗扰度要求。

为高速数据线到地和线到线提供瞬态保护。
为受保护线路提供瞬态保护：
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气/接触）
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）80A（5/50ns）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷击）25A（8/20μs）
- 电缆放电事件（CDE）
DFN2525P10E（2.5x2.5mm）封装。
特定引脚排列，便于电路板布局。
快速导通和低钳位电压。
低电容（<4.2pF），适用于高速接口。
低工作电压：3.3V。
低泄漏电流。
固态硅雪崩和有源电路触发技术。
环保型产品