S25HS02GTDPBHB050
S25HS02GTDPBHB050
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S25HS02GTDPBHB050
- 商品编号
- C7354833
- 商品封装
- BGA-24(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 工作电压 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 2560000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 25年 | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | ECC纠错 |
商品概述
SEMPER™ Flash with Quad SPI系列产品是高速CMOS、MIRRORBIT™ NOR闪存器件。该系列器件支持传统的SPI单比特串行输入输出,可选的双比特以及四比特宽度的QIO和QPI协议。此外,QIO和QPI支持DDR读取事务,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该器件提供灵活的存储区结构。地址空间可配置为统一的256 KB存储区阵列,或混合配置。单次编程操作中使用的页编程缓冲区可配置为256字节或512字节。该器件采用DDP或QDP堆叠芯片的MCP形式。
商品特性
- 支持四线SPI、双线SPI和SPI接口协议,提供不同的数据传输速率选项。
- 提供统一和混合两种存储区架构选项,混合配置包含32个4 KB存储区。
- 页编程缓冲区可配置为256或512字节。
- 包含1024字节的OTP安全硅阵列。
- 提供安全特性,包括数据完整性CRC、内置纠错码和存储区擦除状态指示器。
- 提供传统块保护和高级存储区保护功能。
- 支持通过CS#信号方法、独立RESET#引脚或DQ3_RESET#引脚进行硬件复位。
- 支持串行闪存可发现参数,用于描述器件功能和特性。
- 提供器件标识、制造商标识和标识。
- 主阵列具备至少2,560,000次编程-擦除循环,4 KB存储区具备至少300,000次编程-擦除循环。
- 数据保持时间至少为25年。
- 工作电压范围:1.7 V至2.0 V或2.7 V至3.6 V。
- 提供多种工作温度范围等级。
- 采用24球BGA封装。
应用领域
- 汽车电子
- 工业控制
- 消费电子
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