S25HS02GTDPBHB050

英飞凌带有Quad SPI的SEMPER™闪存系列产品是高速CMOS、MIRRORBIT™ NOR闪存器件。SEMPER™闪存专为功能安全而设计，按照ISO 26262标准开发，以实现ASIL - B合规性和ASIL - D就绪性。支持传统SPI单比特串行输入输出、可选的两比特（双I/O或DIO）以及四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）协议。此外，QIO和QPI有DDR读事务，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。读操作是面向突发的，可配置为使用环绕或线性突发。每个存储位的擦除状态为逻辑1，编程将逻辑1（高电平）变为逻辑0（低电平），只有擦除操作能将存储位从0变为1，擦除操作必须对完整扇区（4 KB或256 KB）执行。SEMPER™闪存提供灵活的扇区架构，地址空间可配置为统一的256 KB扇区阵列，或混合配置1（32个4 KB扇区位于顶部或底部，其余为256 KB扇区），或混合配置2（顶部和底部各有32个4 KB扇区，其余为256 KB扇区）。页面编程缓冲区在单次编程操作中可配置为256字节或512字节，512字节选项提供最高编程吞吐量。该器件是带有DDP或QDP堆叠管芯的MCP，所有管芯的控制信号在封装内内部连接在一起。SEMPER™闪存系列有多种密度，提供1.8 V和3.0 V核心电压选项。器件控制逻辑分为两个并行操作部分：主机接口控制器（HIC）和嵌入式算法控制器（EAC），HIC监控器件输入的信号电平，并根据需要驱动输出以完成与主机的读、编程和写数据传输。

• 采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
• 多芯片封装（MCP），包括02GT双管芯封装（DDP）2×1 Gb管芯和04GT四管芯封装（QDP）4×1 Gb管芯
• 扇区架构有统一和混合两种选项，统一架构地址空间由所有256 KB扇区组成，混合架构有两种配置
• 页面编程缓冲区为256或512字节
• 1024字节（32×32字节）的OTP安全硅阵列
• 接口支持Quad SPI、Dual SPI和SPI协议，不同协议有不同的数据传输速率
• 安全特性包括功能安全符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D就绪，EnduraFlex™架构提供高耐久性和长保留分区，数据完整性CRC检测存储阵列错误，SafeBoot报告器件初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项，内置纠错码（ECC）纠正存储阵列数据的单比特错误并检测双比特错误（SECDED），扇区擦除状态指示器用于擦除期间的掉电情况
• 保护特性包括对存储阵列和器件配置的传统块保护以及对单个存储阵列扇区的高级扇区保护
• 可通过CS#信号方法（JEDEC）/单独的RESET#引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
• 具有串行闪存可发现参数（SFDP）描述器件功能和特性，以及器件标识、制造商标识和唯一标识
• 02GT DDP、04GT QDP器件主阵列的最小编程 - 擦除周期为2,560,000次，所有器件4 KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300,000次，最小数据保留时间为25年
• 供电电压为1.7 V至2.0 V（HS - T）和2.7 V至3.6 V（HL - T）
• 有工业级（-40°C至+85°C）、工业增强级（-40°C至+105°C）、汽车AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）、汽车AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）和汽车AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）等温度范围
• 02GT DDP、04GT QDP器件采用24球BGA 8×8 mm封装

• 汽车电子
• 工业控制
• 消费电子