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S28HS02GTFPBHB050实物图
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S28HS02GTFPBHB050

S28HS02GTFPBHB050

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商品型号
S28HS02GTFPBHB050
商品编号
C7354893
商品封装
FBGA-24(8x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量2Gbit
属性参数值
工作电压1.7V~2V
工作温度-40℃~+105℃
功能特性ECC纠错;上电复位

商品概述

英飞凌的SEMPER™ Flash八进制系列产品是高速CMOS、MIRRORBIT™ NOR闪存设备,符合JEDEC JESD251扩展SPI(xSPI)规范。该产品专为功能安全而设计,按照ISO 26262标准开发,以达到ASIL - B合规性和ASIL - D就绪性。支持八进制外设接口(OPI)和传统×1 SPI,两种接口都能串行传输事务,减少接口连接信号数量。SPI支持SDR,OPI支持SDR和DDR。读操作是面向突发的,可配置为使用环绕或线性突发。提供灵活的扇区架构,地址空间可配置为统一的256 KB扇区阵列或混合分组阵列或混合分割阵列。页面编程缓冲区可配置为256字节或512字节。该设备是具有DDP或QDP堆叠管芯的MCP,所有管芯的控制信号在封装内内部连接在一起。有多种密度可选,核心和I/O电压可选1.8 V和3.0 V。设备控制逻辑分为主机接口控制器(HIC)和嵌入式算法控制器(EAC)两个并行操作部分。

商品特性

  • 采用英飞凌45纳米MIRRORBIT™技术,每个存储阵列单元存储两位数据
  • 多芯片封装(MCP),包括02GT双管芯封装(DDP)2×1 Gb管芯和04GT四管芯封装(QDP)4×1 Gb管芯
  • 扇区架构有统一和混合两种选项,统一选项地址空间由所有256 KB扇区组成,混合选项有两种配置
  • 页面编程缓冲区为256或512字节
  • 1024字节(32×32字节)的OTP安全硅阵列
  • 八进制接口(8S - 8S - 8S,8D - 8D - 8D),符合JEDEC扩展SPI(JESD251),SDR选项最高运行速度达166 MBps,DDR选项最高运行速度达332 MBps,支持数据选通(DS)
  • SPI(1S - 1S - 1S),符合JEDEC扩展SPI(JESD251),SDR选项最高运行速度达21 MBps
  • 功能安全方面,是行业首个符合ISO26262 ASIL B且为ASIL D就绪的NOR闪存,英飞凌Endurance flex架构提供高耐久性和长保留分区,数据完整性CRC检测存储阵列中的错误,SafeBoot报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项,内置纠错码(ECC)纠正存储阵列数据的单比特错误并检测双比特错误(SECDED),扇区擦除状态指示擦除期间的电源丢失
  • 保护特性包括对存储阵列和设备配置的传统块保护以及对单个存储阵列扇区的高级扇区保护
  • 通过CS#信号方法(JEDEC)或单个RESET#引脚进行硬件复位
  • 具有描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数(SFDP),以及设备标识、制造商标识和唯一标识
  • 主阵列至少有2560000次编程 - 擦除循环,4 KB扇区至少有300000次编程 - 擦除循环,数据保留至少25年
  • 供电电压范围为1.7 - 2.0 V(HS - T)和2.7 - 3.6 V(HL - T)
  • 温度范围包括工业级(-40°C至 +85°C)、工业增强级(-40°C至 +105°C)、汽车级AEC - Q100 3级(-40°C至 +85°C)、汽车级AEC - Q100 2级(-40°C至 +105°C)、汽车级AEC - Q100 1级(-40°C至 +125°C)
  • 封装为24球BGA 8×8 mm

数据手册PDF