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S25HL02GTDPBHB053引脚图
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S25HL02GTDPBHB053

S25HL02GTDPBHB053

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商品型号
S25HL02GTDPBHB053
商品编号
C7354815
商品封装
FBGA-24(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.166克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量2Gbit
时钟频率(fc)166MHz
工作电压2.7V~3.6V
待机电流-
擦写寿命2560000次
属性参数值
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)1.7ms
块擦除时间(tBE)-
数据保留 - TDR(年)25年
工作温度-40℃~+105℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位

商品概述

英飞凌采用45纳米MIRRORBIT™技术,在每个存储阵列单元中存储两个数据位,有多芯片封装(MCP),包括02GT双芯片封装(DDP)2×1Gb芯片和04GT四芯片封装(QDP)4×1Gb芯片。有扇区架构选项,包括统一和混合配置。有256或512字节的页面编程缓冲区,1024字节(32×32字节)的OTP安全硅阵列。接口支持Quad SPI、Dual SPI和SPI,有不同协议和速度选项。具备安全和保护特性,如功能安全、数据完整性CRC、SafeBoot、内置纠错码等。数据完整性方面,主阵列最少有2560000次编程 - 擦除周期,4KB扇区最少有300000次编程 - 擦除周期,最少25年数据保留。供电电压有1.7V至2.0V(HS - T)和2.7V至3.6V(HL - T),有不同温度等级和24球BGA 8×8mm封装。

商品特性

  • 功能安全符合ISO26262 ASIL B标准且支持ASIL D的NOR闪存
  • 耐久性flex架构提供高耐久性和长保持分区
  • 数据完整性CRC检测存储器阵列错误
  • SafeBoot报告设备初始化失败,检测配置损坏并提供恢复选项
  • 内置错误纠正码纠正存储器阵列数据的单比特错误并检测双比特错误
  • 扇区擦除状态指示器用于擦除期间的掉电保护
  • 传统块保护用于存储器阵列和设备配置
  • 高级扇区保护用于基于单个存储器阵列扇区的保护
  • 硬件复位支持CS#信号方法、独立RESET#引脚和DQ3_RESET#引脚

数据手册PDF