Name: Infineon(英飞凌) S25FL256SAGBHB210
Brand: Infineon(英飞凌)
SKU: C7354807
Price: 38.93 CNY
Availability: OutOfStock

采用3.0V CMOS内核，支持灵活输入输出
支持SPI多输入输出接口
支持SPI时钟极性及相位模式0和3
支持DDR选项
支持24位或32位扩展寻址
串行命令集和封装与S25FL-A、S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容
多输入输出命令集和封装与S25FL-P SPI系列兼容
支持多种读取命令，包括常规、快速、双路、四路、快速DDR、双路DDR和四路DDR
支持自动启动，上电或复位后自动在预选地址执行常规或四路读取命令
提供通用闪存接口数据用于配置信息
编程速度达每秒1.5MB，提供256字节或512字节页编程缓冲区选项
提供四路输入页编程，适用于低速时钟系统
自动生成内部硬件纠错码，支持单比特错误纠正
擦除速度在每秒0.5MB至0.65MB之间
提供混合扇区大小选项，在地址空间顶部或底部设置三十二个4KB扇区，其余为64KB扇区
提供统一扇区选项，始终擦除256KB块
编程擦除循环次数至少10万次
数据保存期限至少20年
提供1024字节一次性可编程阵列
提供块保护功能，通过状态寄存器位控制对连续扇区的编程或擦除保护
提供硬件和软件控制选项
提供高级扇区保护
支持通过引导代码或密码控制单个扇区保护
采用65纳米MIRRORBIT技术和Eclipse架构
内核电源电压范围2.7V至3.6V
输入输出电源电压范围1.65V至3.6V
提供SO16和FBGA封装
温度范围包括工业级-40°C至+85°C、增强工业级-40°C至+105°C、汽车级AEC-Q100 3级-40°C至+85°C、2级-40°C至+105°C、1级-40°C至+125°C
封装均为无铅，包括16引脚SOIC、6×8毫米WSON、246×8毫米BGA，并提供5×5球和4×6球焊盘选项
提供已知良品和已知测试晶圆

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	0.07mA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位

S25FL256SAGBHB210

商品参数

商品特性

数据手册PDF