S26HS01GTFPBHV030

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S26HS01GTFPBHV030
商品编号: C7309070
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

商品特性

采用45纳米技术，每个存储阵列单元存储两位数据
提供扇区架构选项：统一架构和混合架构，混合架构包含两种配置方式
页编程缓冲区为256或512字节
提供1024字节的一次性可编程安全硅区域，组织为32×32字节
支持HYPERBUS接口，兼容JEDEC扩展SPI标准，DDR模式最高运行速度达400兆字节每秒，支持数据选通以简化高速系统读取数据捕获
支持传统单线SPI模式，兼容JEDEC扩展SPI标准，SDR模式最高运行速度达21兆字节每秒
支持默认从传统SPI或HYPERBUS接口启动
提供功能安全特性，符合ISO26262 ASIL B等级并支持ASIL D，提供高耐久度和长保持分区，支持接口CRC、数据完整性CRC、安全启动、内置纠错码以及扇区擦除状态指示
提供保护特性，包括基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护、上电后立即访问存储阵列的自动启动功能、通过CS#信号方法和独立RESET#引脚实现的硬件复位、描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数，以及设备识别、制造商识别和识别
提供数据完整性保证，不同容量设备的主阵列具有不同的最小编程擦除周期数，所有设备的4KB扇区最小编程擦除周期为300，000次，数据保持时间最小为25年
工作电压范围：1.7伏至2.0伏，以及2.7伏至3.6伏
提供多种等级和温度范围：工业级、增强工业级以及符合AEC-Q100标准的多个汽车等级，温度范围覆盖-40℃至+125℃
提供不同封装：256兆位和512兆位容量采用24球BGA封装，尺寸为6×8毫米；1吉位容量采用24球BGA封装，尺寸为8×8毫米

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.7V~2V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	绝对写保护；ECC纠错；上电复位