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S28HS01GTGZBHM030引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S28HS01GTGZBHM030

S28HS01GTGZBHM030

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商品型号
S28HS01GTGZBHM030
商品编号
C7309093
商品封装
FBGA-24(8x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量1Gbit
工作电压1.7V~2V
属性参数值
页写入时间(Tpp)1.7ms
工作温度-40℃~+125℃
功能特性ECC纠错;上电复位

商品特性

  • 采用45纳米MIRRORBIT技术,每个存储阵列单元存储两个数据位
  • 提供统一的扇区架构和混合扇区架构选项
  • 页面编程缓冲区为256或512字节
  • 包含1024字节的一次性可编程安全硅阵列
  • 支持八进制接口,符合JEDEC扩展串行外设接口标准
  • 单倍数据速率模式最高速度达200 MBps,双倍数据速率模式最高速度达400 MBps
  • 支持数据选通信号,以简化高速系统中的读取数据捕获
  • 支持串行外设接口模式,符合JEDEC扩展串行外设接口标准
  • 单倍数据速率模式最高速度达21 MBps
  • 符合功能安全ISO26262 ASIL B标准,并支持ASIL D等级要求
  • 提供高耐久性和长数据保持分区
  • 接口循环冗余校验可检测主机控制器与闪存设备之间通信接口的错误
  • 数据完整性循环冗余校验可检测存储阵列中的错误
  • 提供设备初始化失败报告、配置损坏检测和恢复选项
  • 内置纠错码,可纠正存储阵列数据中的单位错误并检测双位错误
  • 提供擦除期间的扇区擦除状态指示
  • 提供针对存储阵列和设备配置的传统块保护功能
  • 提供基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护功能
  • 支持上电后立即访问存储阵列
  • 支持通过片选信号或独立复位引脚进行硬件复位
  • 提供描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数
  • 提供设备识别、制造商识别和识别信息
  • 主阵列最小可承受64万次编程擦除循环
  • 主阵列最小可承受128万次编程擦除循环
  • 主阵列最小可承受256万次编程擦除循环
  • 4 KB扇区最小可承受30万次编程擦除循环
  • 最小数据保持年限为25年
  • 工作电压范围为1.7V至2.0V
  • 工作电压范围为2.7V至3.6V
  • 工业级温度范围为-40°C至+85°C
  • 增强工业级温度范围为-40°C至+105°C
  • 汽车级AEC-Q100等级3温度范围为-40°C至+85°C
  • 汽车级AEC-Q100等级2温度范围为-40°C至+105°C
  • 汽车级AEC-Q100等级1温度范围为-40°C至+125°C
  • 256 Mb和512 Mb器件采用24球BGA封装,尺寸为6×8毫米
  • 1 Gb器件采用24球BGA封装,尺寸为8×8毫米

数据手册PDF