S26HS512TGABHM013

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S26HS512TGABHM013
商品编号: C7309076
商品封装: FBGA-24(6x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

商品概述

Semper Flash 产品系列是高速 CMOS、MirrorBit NOR 闪存设备，符合 JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) 规范。该闪存设计用于功能安全，根据 ISO 26262 标准开发，以实现 ASIL-B 合规和 ASIL-D 就绪。带有 HyperBus 接口的 Semper Flash 设备支持 HyperBus 接口以及传统 (x1) SPI。两种接口都串行传输事务，减少了接口连接信号的数量。SPI 支持 SDR，而 HyperBus 支持 DDR。HyperBus 接口 (DDR) 在每个时钟周期在数据 (DQ) 信号上传输两个数据字节。读取或编程/写入访问由内部 HyperFlash 核心的一系列 16 位宽、一个时钟周期数据传输和 DQ 信号上两个相应的 8 位宽、半时钟周期数据传输组成。数据和命令/地址信息都以 DDR 方式通过 8 位数据总线传输。时钟输入信号用于该闪存在接收 DQ 信号上的命令/地址/数据信息时进行信号捕获。读取数据选通 (DS) 是该闪存的输出，指示数据何时从...

商品特性

采用赛普拉斯45纳米MirrorBit®技术，每个存储阵列单元存储两位数据
有统一和混合两种扇区架构选项
页面编程缓冲区为256或512字节
有1024字节（32×32字节）的一次性可编程安全硅区（SSR）
采用HyperBus™接口，符合JEDEC扩展SPI（JESD251）标准，DDR选项最高运行速度达400 MBps（200 MHz时钟速度），支持数据选通（DS）
传统（x1）SPI符合JEDEC扩展SPI（JESD251）标准，SDR选项最高运行速度达21 MBps（166 MHz时钟速度）
支持在传统SPI（x1）或HyperBus接口（x8）下默认启动
具备功能安全特性，是行业首个符合ISO26262 ASIL B标准且为ASIL D做好准备的NOR闪存
EnduraFlex™架构提供高耐久性和长保留分区
接口CRC检测主机控制器和Semper™闪存设备之间通信接口上的错误
数据完整性CRC检测存储阵列中的错误
SafeBoot报告设备初始化失败，检测配置损坏并提供恢复选项
内置纠错码（ECC）纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
扇区擦除状态指示器用于擦除过程中的掉电情况
具有高级扇区保护功能，可对单个存储阵列扇区进行保护
AutoBoot使上电后可立即访问存储阵列
通过CS#信号方法（JEDEC）和单个RESET#引脚进行硬件复位
具有描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数（SFDP）
具备设备标识、制造商标识和唯一标识
256 Mb设备主阵列的最小编程 - 擦除周期为640,000次
512 Mb设备主阵列的最小编程 - 擦除周期为1,280,000次
1 Gb设备主阵列的最小编程 - 擦除周期为2,560,000次
所有设备4 KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300,000次
所有设备的数据保留时间至少为25年
供电电压为1.7 - 2.0 V（HS - T）和2.7 - 3.6 V（HL - T）
有工业级（-40°C至+85°C）、工业增强级（-40°C至+105°C）、汽车AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）、汽车AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）、汽车AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）等温度范围
256 Mb和512 Mb采用24球BGA 6×8 mm封装，1 Gb采用24球BGA 8×8 mm封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	512Mbit
	工作电压	1.7V~2V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位