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NCEP15T14D
1个N沟道 耐压:150V 电流:140A
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- 描述
- NCEP15T14D采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP15T14D
- 商品编号
- C775786
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V,70A | |
| 耗散功率(Pd) | 340W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
LonFET™功率MOSFET采用先进的超结技术制造。由此得到的器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 极低的栅极电荷（典型栅极电荷Qg = 23 nC）
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)