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NCE8290AC
1个N沟道 耐压:82V 电流:90A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。适用于PWM、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE8290AC
- 商品编号
- C775787
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 82V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.414nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 188pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRLU、SiHLU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 表面贴装（IRLR120、SiHLR120）
- 直引脚（IRLU120、SiHLU120）
- 提供卷带包装
- 逻辑电平栅极驱动
- Drain-Source On-Resistance RDS(on) specified at Gate-Source Voltage VGS equal to 4 V and 5 V
- 材料分类：有关合规性定义，请参阅www.vishay.com/doc?99912
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