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IAUA250N04S6N005AUMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUA250N04S6N005AUMA1

1个N沟道 耐压:40V 电流:490A

描述
特性:用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET,N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。应用:一般汽车应用
商品型号
IAUA250N04S6N005AUMA1
商品编号
C7288396
商品封装
HSOF-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.835克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)490A
导通电阻(RDS(on))0.55mΩ@7V,100A
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)170nC@10V
输入电容(Ciss)11.144nF@25V
反向传输电容(Crss)165pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 高速开关碳化硅(SiC)MOSFET
  • 驱动简单
  • 采用开尔文参考端,运行稳定
  • 开关损耗低
  • 结到外壳的热阻低
  • 坚固耐用,易于安装
  • 可直接安装到散热器上(隔离封装)

应用领域

  • 光伏逆变器
  • 电池充电器
  • 服务器电源
  • 储能系统

数据手册PDF