温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB026N10NF2SATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:162A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB026N10NF2SATMA1
- 商品编号
- C7289383
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 162A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.65mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C — 适用于高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON) — 最大程度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 无铅涂层；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该产品符合JEDEC标准（参考AEC - Q），可靠性高。
- 符合汽车标准的产品在单独的数据手册（DMTH6006LPSWQ）中有介绍。
应用领域
- 发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器