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IPB026N10NF2SATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:162A
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- 描述
- 特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB026N10NF2SATMA1
- 商品编号
- C7289383
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 162A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 针对广泛应用进行优化
- N沟道,常态电平
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
- 发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器