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IPP60R180C7XKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:22A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R180C7XKSA1
- 商品编号
- C7289542
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 349pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关(PFC 和高性能 LLC)
- 将 MOSFET 的 dv/dt 抗扰度提高至 120V/ns
- 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 提升效率
- 同类最佳的导通电阻 RDS(on)/封装
- 通过 JEDEC(J-STD20 和 JESD22)工业级应用认证
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的 PFC 级和 PWM 级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域。