- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RJH60F6DPQ-A0#T0
RJH60F6DPQ-A0#T0
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJH60F6DPQ-A0#T0
- 商品编号
- C7283358
- 商品封装
- TO-247A
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 297.6W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 45A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 170A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.35V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 150pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 65pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 58ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 131ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 低集电极 - 发射极饱和电压 ΔVCE(sat)=1.35 V 典型值（在 IC = 45 A、VGE = 15 V、Ta = 25℃ 时）
- 单封装内集成快速恢复二极管
- 采用沟槽栅和薄晶圆技术，高速开关 tf = 74 ns 典型值（在 IC = 30 A、VCE = 400 V、VGE = 15 V、Rg = 5 Ω、Ta = 25℃、感性负载时）