RJK0656DPB-00#J5
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK0656DPB-00#J5
- 商品编号
- C7283364
- 商品封装
- SC-100(SOT-669)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214906克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）专有的POWERTRENCH技术制造，可实现低导通电阻RDS(on)和优化的Bvdss能力，从而在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 高速开关
- 低驱动电流
- 低导通电阻
- 导通电阻(RDS(on))典型值为 4.5 mΩ(栅源电压(VGS)= 10 V 时)
- 无铅
- 无卤素
- 高密度贴装
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