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RJK0332DPB-01#J0
1个N沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK0332DPB-01#J0
- 商品编号
- C7283360
- 商品封装
- SC-100(SOT-669)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214906克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高速开关
- 能够提供4.5 V栅极驱动
- 低驱动电流
- 高密度安装
- 低导通电阻
- 导通电阻(RDS(on))典型值为3.6 mΩ(栅源电压VGS = 10 V时)
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光源