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STP8NK80ZFP
1个N沟道 耐压:800V 电流:6.2A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP8NK80ZFP
- 商品编号
- C81351
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 143pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
N沟道800V、典型值1.3Ω、6.2A的SuperMESH功率MOSFET，采用TO-220FP、TO-220和TO-247封装。这些高压器件是采用SuperMESH技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，该技术是成熟PowerMESH技术的优化版本。除了显著降低导通电阻外，这些器件还设计用于确保高dv/dt能力，以满足最严苛的应用需求。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用