R6004JND3TL1
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6004JND3TL1
- 商品编号
- C7273067
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.43Ω@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：通用接口开关、电源管理功能、DC-DC转换器、模拟开关
商品特性
- 快速反向恢复时间(trr)
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 驱动电路可简化
- 无铅镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用