- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
R6015FNX
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.11nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 低才不抵抗
- 高速スイチングスビート
- イート・ソーナス間電圧VGSS=±30V 保証
- 驅動回路が簡單
- 並列使用较为容易
- 鉛Fl一対応济、RoHS準拋
应用领域
- スイチング