我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
RCD080N25TL实物图
  • RCD080N25TL商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RCD080N25TL

1个N沟道 耐压:250V 电流:8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RCD080N25TL
商品编号
C7276810
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.462克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V,4A
属性参数值
耗散功率(Pd)850mW;20W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.44nF@25V

商品概述

这款第三代横向MOSFET(LD - MOS)经过精心设计,可最大程度降低导通损耗并实现超快速开关,非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装(CSP),通过将低热阻与单位占位面积最小的RDS(ON)相结合来提高功率密度。

商品特性

  • 具备最低品质因数的LD - MOS技术:RDS(ON) = 8.2 mΩ,可最大程度降低导通损耗;Qg = 8.1 nC,实现超快速开关
  • 典型Vgs(th) = - 0.8 V,开启电压低
  • 采用占位面积为1.5mm × 1.5mm的CSP封装
  • 高度为0.62mm,外形低矮
  • 栅极具备6kV HBM静电放电(ESD)保护
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,是“绿色”器件
  • 通过AEC - Q101标准认证,可靠性高

应用领域

  • DC - DC转换器
  • 电池管理
  • 负载开关

数据手册PDF