RF4L055GNTCR
1个N沟道 耐压:60V 电流:5.5A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率小尺寸封装（HUML2020L8）。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RF4L055GNTCR
- 商品编号
- C7278976
- 商品封装
- DFN2020-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061636克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V；43mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V；2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@10V；4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
ALD114813/ALD114913是高精度单片四/双耗尽型N沟道MOSFET，采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。它们是常闭继电器应用的理想功能替代方案，因为在未施加任何电源时，它们处于常开（导通）状态，但在系统电源开启时可以关断或进行调制。这些MOSFET具有独特的特性，当栅极接地时，在低漏极电压水平下以电阻模式工作，在较高电压水平下以电流源模式工作，并提供恒定的漏极电流。 这些MOSFET旨在实现卓越的器件电气特性匹配。由于这些器件位于同一单片芯片上，它们还具有出色的温度跟踪特性。它们作为设计组件可用于广泛的模拟应用，是电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。除了匹配对的电气特性外，每个单独的MOSFET也具有良好控制的参数，使用户能够依赖严格的设计限制。即使是不同批次和不同生产日期的器件也具有相应良好匹配的特性。 这些耗尽型器件的设计旨在实现最小的失调电压和差分热响应，适用于单1.5V至±5V系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性，因此可用于依赖亚阈值特性的设计中。 ALD114813/ALD114913适用于需要非常高电流增益（β）的精密应用，如电流镜和电流源。在25°C下，漏极电流为3mA、输入泄漏电流为30pA时，直流电流增益的示例计算为3mA / 30pA = 100,000,000。对于大多数应用，将V+引脚连接到系统中最正的电压，将V-和IC引脚连接到系统中最负的电压。所有其他引脚的电压在任何时候都必须在这些电压限制范围内。
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 开关应用
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