PJA3438-AU_R1_000A1
1个N沟道 耐压:50V 电流:500mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3438-AU_R1_000A1
- 商品编号
- C7261194
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 950pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为500 mA时,RDS(ON) < 1.45 Ω
- 当VGS为4.5 V、ID为200 mA时,RDS(ON) < 1.95 Ω
- 当VGS为2.5 V、ID为100 mA时,RDS(ON) < 4.0 Ω
- 当VGS为1.8 V、ID为10 mA时,RDS(ON) < 6.0 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 静电放电(ESD)防护2KV人体模型(HBM)
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准
- 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
应用领域
- 背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能
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