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PJMD990N65EC_L2_00001
1个N沟道 耐压:650V 电流:4.7A
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJMD990N65EC_L2_00001
- 商品编号
- C7261238
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 990mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 47.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 306pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(ON),栅源电压VGS@10V时:990mΩ
- 易于使用/驱动
- 高速开关且漏源导通电阻RDS(ON)低
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻Rg测试
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
应用领域
- LED电源、充电器适配器