PJQ5426_R2_00001
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A 电流:115A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ5426_R2_00001
- 商品编号
- C7261252
- 商品封装
- DFN5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A;115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W;136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.305nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 当VGS为10V、ID为20A时,RDS(ON) < 2.4mΩ
- 当VGS为4.5V、ID为15A时,RDS(ON) < 3.3mΩ
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力
- 栅极电荷低
- 反向传输电容低
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 按照IEC 61249标准的绿色模塑料
应用领域
- PD充电器、适配器、显示器电源
