PJQ5426_R2_00001
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A 电流:115A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ5426_R2_00001
- 商品编号
- C7261252
- 商品封装
- DFN5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.305nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(ON)，栅源电压VGS为10V时：600mΩ
- 易于使用/驱动
- 高速开关且低漏源导通电阻RDS(ON)
- 100%雪崩测试
- 100%栅极电阻Rg测试
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
应用领域
- PD充电器、适配器、显示器电源