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PJA3449_R1_00001

1个P沟道耐压:40V 电流:2.2A

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品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJA3449_R1_00001
商品编号: C7261200
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028克(g)

商品参数

商品概述

CXDM3069N is a high-current N-channel enhancement-mode silicon MOSFET designed for high-speed pulse amplifier and driver applications. This MOSFET offers high current, low rDS(ON), low threshold voltage, and low leakage current.

商品特性

栅源电压VGS为 -10V、漏极电流ID为 -2.2A时,导通电阻RDS(ON) < 160mΩ
栅源电压VGS为 -4.5V、漏极电流ID为 -1.5A时,导通电阻RDS(ON) < 230mΩ
先进的沟槽工艺技术
专为开关负载、PWM应用等特殊设计
符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)

应用领域

负载/电源开关-电源转换电路-电池供电的便携式设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	2.2A
	导通电阻(RDS(on))	160mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	1.25W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.1V
	栅极电荷量(Qg)	7.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	299pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃