GS81314LD19GK-933I
GS81314LD19GK-933I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS81314LD19GK-933I
- 商品编号
- C7200425
- 商品封装
- BGA-260(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
SigmaQuad - IVe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad - IVe/SigmaDDR - IVe中独立I/O的一部分。尽管与GSI的第三代网络SRAM(SigmaQuad - IIIe/SigmaDDR - IIIe系列)相似,但这些第四代设备提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GSI的ECCRAM实现了一种ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,包括由宇宙射线、阿尔法粒子等SER事件引起的错误。这些设备的软错误率预计小于0.002 FITs/Mb,比没有片上ECC的同类SRAM(通常SER为200 FITs/Mb或更高)有5个数量级的改进。在功能使用之前,这些设备必须先进行初始化和配置,以确保内部逻辑正确复位,并适当配置功能时序参数。
商品特性
- 提供4Mb x 36和8Mb x 18的组织结构
- 组织为单个逻辑存储体
- 最高933 MHz工作频率
- 峰值事务率为933 MT/s(每秒百万次)
- 峰值数据带宽为134 Gb/s(在x36器件中)
- 独立的I/O DDR数据总线
- 非多路复用的SDR地址总线
- 每个时钟周期执行一次操作 - 读或写
- 读和写操作无地址/存储体限制
- 4次读和写操作的突发传输
- 5周期读延迟
- 片上ECC,具有几乎为零的软错误率
- 环回信号时序训练能力
- 1.25V ~ 1.3V标称核心电压
- 1.2V ~ 1.3V HSTL I/O接口
- 配置寄存器
- 可配置的ODT(片上终端)
- 用于可编程驱动器阻抗的ZQ引脚
- 用于可编程ODT阻抗的ZT引脚
- 符合IEEE 1149.1 JTAG的边界扫描
- 260引脚,14mm × 22mm,1mm球间距,6/6符合RoHS的BGA封装
- GS816018DGT-250I
- GS816036DGT-250I
- GS816136DGD-333I
- GS8256418GD-400I
- GS8256436GD-250I
- GS82582QT20GE-450I
- GS832036AGT-250I
- GS8320Z36AGT-333I
- GS8321Z36AGD-250I
- GS8342D36BGD-300I
- GS8342TT38BGD-500I
- GS84018CGT-250I
- GS84036CGT-250I
- 857-056-442-204
- 857-066-500-204
- 857-066-556-201
- 857-072-424-203
- 857-072-524-204
- 857-080-400-212
- 85923-4
- 85MCD/10G

