GS816018DGT-250I
GS816018DGT-250I
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- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS816018DGT-250I
- 商品编号
- C7200427
- 商品封装
- TQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 9.6605克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
GS816018/32/36DGT是一款18,874,368位高性能同步静态随机存取存储器（SRAM），带有2位突发地址计数器。该器件最初是为支持高性能CPU的二级缓存应用而开发的，但现在也应用于同步SRAM领域，从数字信号处理器（DSP）主存储到网络芯片组支持等都有涉及。地址、数据输入输出、芯片使能、地址突发控制输入和写控制输入是同步的，由正边沿触发的时钟输入控制。输出使能和掉电控制是异步输入。突发周期可以通过特定输入启动，突发地址计数器可以配置为线性或交错顺序计数。用户可以通过FT模式引脚控制数据输出寄存器的功能。字节写操作通过字节写使能输入和单个字节写信号完成，全局写可一次性写入所有字节。低功耗睡眠模式可通过断言ZZ信号或停止时钟来实现。该器件工作在3.3V或2.5V电源下，所有输入与3.3V和2.5V兼容。
商品特性
- 具有FT引脚，可实现用户可配置的直通或流水线操作
- 支持单周期取消选择（SCD）操作
- 核心电源为2.5V或3.3V ±10%
- I/O电源为2.5V或3.3V
- 具有LBO引脚，支持线性或交错突发模式
- 模式引脚上的内部输入电阻允许模式引脚浮空
- 默认采用交错流水线模式
- 支持字节写（BW）和/或全局写（GW）操作
- 内部自定时写周期
- 为便携式应用提供自动掉电功能
- 提供符合RoHS标准的100引脚TQFP封装
应用领域
- DSP主存储
- 网络芯片组支持
- 同步SRAM应用