- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
71V25761S200BG
71V25761S200BG
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V25761S200BG
- 商品编号
- C7192884
- 商品封装
- PBGA-119(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
IDT71V25761 是高速 SRAM，组织为 128K x 36。该 SRAM 包含写、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许 SRAM 基于可延迟到写周期结束的决策生成自定时写操作。内部突发地址计数器从处理器接收第一个周期地址，启动访问序列。第一个输出数据周期将在下一个上升时钟沿之前流水线一个周期。如果选择突发模式操作（ADV=低电平），后续三个输出数据周期将在接下来的三个上升时钟沿上对用户可用。这三个地址的顺序由内部突发计数器和 LBO 输入引脚定义。该 SRAM 采用高性能 CMOS 工艺，并封装在符合 JEDEC 标准的 14mm x 20mm 100 引脚薄型塑料四边扁平封装（TQFP）、119 球栅阵列（BGA）和 165 细间距球栅阵列（fBGA）中。
商品特性
- 128K x 36 内存配置
- 支持高系统速度
- 商用：200MHz 3.1ns 时钟访问时间
- 商用和工业：183MHz 3.3ns 时钟访问时间，166MHz 3.5ns 时钟访问时间
- LBO 输入选择交错或线性突发模式
- 具有全局写控制（GW）、字节写使能（BWE）和字节写（BWx）的自定时写周期
- 3.3V 核心电源
- 由 ZZ 输入控制的掉电模式
- 2.5V I/O
- 可选边界扫描 JTAG 接口（符合 IEEE 1149.1 标准）
- 封装在符合 JEDEC 标准的 100 引脚塑料薄型四边扁平封装（TQFP）、119 球栅阵列（BGA）和 165 细间距球栅阵列中