71V3578S133PF
71V3578S133PF
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V3578S133PF
- 商品编号
- C7192896
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
IDT71V3576/78是高速SRAM，组织形式为128K x 36/256K x 18。IDT71V3576/78 SRAM包含写、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许SRAM根据决策生成自定时写入，该决策可留到写周期结束时做出。突发模式特性为系统设计者提供了最高水平的性能，因为IDT71V3576/78可以为呈现给SRAM的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器从处理器接收第一个周期地址，启动访问序列。输出数据的第一个周期将在流水线中延迟一个周期，然后在下一个上升时钟沿可用。如果选择突发模式操作（ADV = 低电平），则后续三个周期的输出数据将在下三个上升时钟沿提供给用户。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V3576/78 SRAM采用IDT最新的高性能CMOS工艺，并封装在JEDEC标准的14mm x 20mm 100引脚薄塑料四方扁平封装（TQFP）以及119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列（fBGA）中。
商品特性
- 128K x 36、256K x 18内存配置
- 支持高系统速度：商用和工业级：
- 150MHz 3.8ns时钟访问时间
- 133MHz 4.2ns时钟访问时间
- LBO输入选择交错或线性突发模式
- 带全局写控制（GW）、字节写使能（BWE）和字节写入（BWx）的自定时写周期
- 3.3V核心电源
- 由ZZ输入控制掉电
- 3.3V I/O
- 可选 - 边界扫描JTAG接口（符合IEEE 1149.1标准）
- 封装形式为JEDEC标准的100引脚塑料薄四方扁平封装（TQFP）、119球栅阵列（BGA）和165细间距球栅阵列（fBGA）