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DG2002EDL-T1-GE3实物图
  • DG2002EDL-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DG2002EDL-T1-GE3

DG2002EDL-T1-GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
DG2002EDL-T1-GE3
商品编号
C7171511
商品封装
SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.045克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路2:1
通道数-
工作电压1.8V~5.5V
导通时间(ton)30ns
属性参数值
导通电阻(Ron)
关闭时间(toff)24ns
工作温度-40℃~+85℃
导通电容(Con)13pF

商品概述

DG2002E是一款高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关,设计用于单电源轨1.8 V至5.5 V的工作电压。 该器件采用高密度CMOS技术制造,在5 V电源下可实现6 Ω的低导通电阻和7 pF的关断电容,具有低功耗和快速开关速度的特点。其电荷注入为1 pC。 DG2002E可处理模拟和数字信号,并允许幅值高达V+的信号双向传输。其控制逻辑输入电压可超过V+,最高可达5.5 V。它具备先断后通的开关性能。 开关内置了断电保护电路,可防止在断电状态下电流从COM引脚异常流向V+。每个输出引脚可承受超过7 kV(人体模型)的电压。 工作温度范围为 -40 °C至 +85 °C。DG2002E采用紧凑的SC-70-6L封装。

商品特性

  • 低开关导通电阻(6 Ω)
  • +1.8 V至 +5.5 V单电源工作
  • 断电保护
  • 控制逻辑输入电压可超过V+
  • 低寄生电容,关断时为7 pF
  • 低电荷注入,1 pC
  • 先断后通开关
  • 闩锁性能超过每JESD 78标准200 mA
  • 高ESD额定值 - 7000 V人体模型(JS-001) - 1000 V充电器件模型(JS-002)

应用领域

  • 电池供电设备
  • 仪器仪表
  • 医疗设备
  • 低电压数据采集
  • 控制与自动化
  • 消费电子和计算机领域

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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