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DG3157EDL-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DG3157EDL-T1-GE3

DG3157E 高速单刀双掷模拟开关

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描述
DG3157E是一款高速单刀双掷模拟开关,适用于+1.65V至+5.5V单电源操作。该芯片采用高密度CMOS技术制造,具有低导通电阻、快速切换速度和高带宽,并保持低功耗。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
DG3157EDL-T1-GE3
商品编号
C7171531
商品封装
SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.074克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路2:1
通道数1
工作电压1.65V~5.5V
导通时间(ton)4ns
属性参数值
导通电阻(Ron)
关闭时间(toff)-
工作温度-40℃~+85℃
带宽580MHz

商品概述

DG3157E是一款高速单刀双掷模拟开关,专为+1.65 V至+5.5 V单电源轨操作而设计。 采用高密度CMOS技术制造,DG3157E实现了低导通电阻、快速开关速度和高带宽,同时保持低功耗。 DG3157E可以处理模拟和数字信号,并允许幅度高达V+的信号在任一方向上传输。 当选择引脚为低电平时,B₀连接到输出A引脚。当选择引脚为高电平时,B₁连接到输出A引脚。断开的路径相对于输出将处于高阻抗状态。保证先断后通的开关性能。 开关内置了断电保护电路,以防止在断电状态下从COM引脚到V+出现异常电流。每个输出引脚可承受大于7 kV(人体模型)的电压。 工作温度范围为-40 °C至+85 °C。DG3157E采用紧凑的SC-70-6L封装。

商品特性

  • 可直接替代行业标准的SN74LVC1G3157、NC7SB3157、NLASB3157、Pl5A3157和STG3157,符合RoHS标准
  • 低开关导通电阻(6 Ω)
  • +1.65 V至+5.5 V单电源操作
  • 断电保护
  • 控制逻辑输入电压可超过V+,最高达5.5 V
  • 低寄生电容,开关断开时为7 pF
  • 先断后通开关
  • 闩锁性能超过每JESD 78标准的200 mA
  • 高ESD等级
    • 7000 V人体模型(JS-001)
    • 1000 V器件充电模型(JS-002)

应用领域

  • 电池供电设备
  • 消费电子和计算设备
  • 仪器仪表
  • 医疗设备
  • 控制与自动化

数据手册PDF