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TQM130NB06CR RLG

1个N沟道耐压:60V 电流:10A 电流:50A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TQM130NB06CR RLG
商品编号: C7125899
商品封装: PDFNU-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

通过 AEC-Q101 认证
封装小巧轻薄
栅极电荷小：Q_SW = 14.0 nC（典型值）
漏源导通电阻低：RDS(ON) = 13.9 mΩ（典型值）（VGS = -10 V）
漏电流低： IDSS = -10 μA（最大值）（VDS = -40 V）
增强型：V_th = -2 至 -3 V（VDS = -10 V， ID = -1 mA）

应用领域

电机驱动器-移动设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	10A；50A
	导通电阻(RDS(on))	13mΩ@10V,10A
	耗散功率(Pd)	3.1W；83W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V
	栅极电荷量(Qg)	40nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.234nF@30V
	反向传输电容(Crss)	65pF@30V
	工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)