- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSM1NB60CH C5G
1个N沟道 耐压:600V 电流:1A
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- 商品型号
- TSM1NB60CH C5G
- 商品编号
- C7128330
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进平面工艺
- 100%雪崩测试
- 低漏源导通电阻RDS(ON),典型值8 Ω
- 低栅极电荷,典型值6.1 nC
- 低反向传输电容Crss,典型值4.2 pF
应用领域
- 电源
- 照明
- 充电器
- TSM4806CS RLG
- TSM70N900CH C5G
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