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TSM080N03EPQ56 RLG
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- 特性：快速开关。 100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。 内置G-S ESD保护二极管。应用：Vcore / MB。 POL应用
- 商品型号
- TSM080N03EPQ56 RLG
- 商品编号
- C7128328
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术。
- 低栅极电荷。
应用领域
- 网络直流-直流电源系统。
- 负载开关。