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BUK9M20-60ELX
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 单通道、逻辑电平、N沟道MOSFET，采用特定应用（ASFET）增强型SOA技术封装于LFPAK33。该产品已通过AEC-Q101认证，可用于安全气囊应用的线性模式。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9M20-60ELX
- 商品编号
- C7091971
- 商品封装
- LFPAK-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.233333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 79.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.941nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。
商品特性
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 高漏源电压额定值
- 静电保护栅极
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 小型伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 开关应用
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