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商品参数
参数完善中
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56（Power SO8）封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 真正的逻辑电平栅极，在175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能功率开关
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