- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56(Power SO8)封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境
- 真正的逻辑电平栅极,在175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能功率开关
- BSN20BK215
- SXT21412BB16-37.400M
- BSH-150-01-L-D-A
- SXT21412BB16-38.400M
- BVE-A-R002-1.0
- BSI-3.3S12R0F
- BVM20JB15K0
- SXT21410EC17-40.000M
- BSI24-3.3/5S3R0F
- BVM25JB50R0
- SXT21412BB16-40.000M
- BSM100GAL120DLCK
- BVS-M-R001-2.0
- BVSD-2032-SM
- BSM550-180-BET-S00
- SXT21410EC38-26.000M
- BVT-M-R0005-5.0
- SXT21412BB17-18.432M
- SXT21410EC38-27.120M
- BVZ-I-R0024-1.0
- SXT21412BB17-27.120M