STD100NH02LT4
1个N沟道 耐压:24V 电流:60A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD100NH02LT4
- 商品编号
- C7090654
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
BLM7G22S-60PB(G) 是一款双路、两级功率单片微波集成电路（MMIC），采用了安谱隆（Ampleon）最先进的 GEN7 LDMOS 技术。该器件非常适合作为 2100 MHz 至 2400 MHz 频率范围内的通用驱动器。提供鸥翼型或扁平引脚封装。
商品特性
- 数值受引线键合限制
- RDS(on) * Qg为行业标杆
- 降低导通损耗
- 降低开关损耗
- 低阈值器件
应用领域
- 开关应用
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