STF10NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:7A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF10NM50N
- 商品编号
- C7090662
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：VDSF = -1.35V（典型值）
- 高电压：VDSS = 650 V
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 107 mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：Vth = 3.0 至 5.0V（VDS = 10V，ID = 1.2mA）
- 增强型模式
应用领域
- 开关稳压器
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