商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
-开关应用
- STF23NM60ND
- STF7N52K3
- SXT11410DB17-27.000M
- SXT11410DB27-27.000M
- SXT11410DB27-32.000M
- STF2E4-53
- SXT11410DB48-25.000M
- STG2E4-53
- SXT11410DB48-32.000M
- STGW35HF60W
- STGWA15S120DF3
- SXT11410DC16-27.000M
- SXT11410DC48-27.000M
- SXT11410DD07-27.120M
- SXT11410DD07-32.000M
- SXT11410DD16-40.000M
- SXT11410DD38-40.000M
- SXT11410DD48-26.000M
- SXT11410DD48-30.000M
- SXT11410EA07-38.400M
- SXT11410EA16-30.000M