- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGWA15S120DF3
STGWA15S120DF3
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWA15S120DF3
- 商品编号
- C7090677
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 259W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 981pF | |
| 输出电容(Coes) | 82pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 37pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 140ns | |
| 导通损耗(Eon) | 540uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.375mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 270ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件采用先进的专有沟槽栅场终止结构开发而成，属于1200V IGBT的S系列，旨在最大限度地提高低频工业系统的效率。此外，其正VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布特性，有助于实现更安全的并联运行。
商品特性
- 短路耐受时间为10 µs
- VCE(sat) = 1.55 V (典型值) @ IC = 15 A
- 参数分布紧密
- 并联更安全
- 低热阻
- 软快恢复反并联二极管
应用领域
- 工业驱动器
- 不间断电源
- 太阳能
- 焊接设备
- SXT11410DC16-27.000M
- SXT11410DC48-27.000M
- SXT11410DD07-27.120M
- SXT11410DD07-32.000M
- SXT11410DD16-40.000M
- SXT11410DD38-40.000M
- SXT11410DD48-26.000M
- SXT11410DD48-30.000M
- SXT11410EA07-38.400M
- SXT11410EA16-30.000M
- SXT11410EA27-38.400M
- SXT11410EA38-27.120M
- SXT11410EA48-30.000M
- SXT11410EA48-40.000M
- SXT11410EB27-24.000M
- SXT11410EB38-24.000M
- SXT11410EB48-32.000M
- SXT11410EC07-30.000M
- SXT11410EC16-30.000M
- SXT1148CA27-48.000M
- SXT11410EC17-26.000M