商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用STripFETTMV技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化,可实现极低的导通电阻,其品质因数(FOM)在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 该值根据Rthj - pcb进行额定
- RDS(on) * Qg达到行业基准
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的开关栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- PowerFLAT 5x6封装
应用领域
- 开关应用
- ULP40-1230
- STL73D
- SSW-134-01-T-S
- STM32C031C6T6TR
- ULS-12/5-D48NH-C
- STM32C031K6T6TR
- SSW-134-02-S-D-RA
- STM32C031K6T7TR
- SSW-134-22-S-D-VS
- STM32F410R8T6TR
- ULS-3.3/30-D48N-C
- STM32F745VGH7
- SSW-135-02-F-T-RA
- STM32F745VGH7TR
- ULS-5/20-D48NH-C
- STM32G031F4P6TR
- SSW-135-02-G-T
- STM32G031K4T3
- STM32G031K6U7
- ULT-3.3/7.5-D48N-C
- STM32G051K8T7