STU13NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU13NM60N
- 商品编号
- C7089913
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF |
商品概述
这些器件是采用MDmesh™ M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
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