AOI9N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:9A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOI9N50
- 商品编号
- C7076694
- 商品封装
- TO-251A
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 860mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AOD9N50和AOI9N50采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC - DC应用提供高性能和高可靠性。 通过提供低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反向传输电容(Crss),并保证雪崩能力,这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
应用领域
- 负载开关应用-电池电源管理