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TSM019NH04LCR RLG

1个N沟道耐压:40V 电流:100A 电流:35A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM019NH04LCR RLG
商品编号: C7073942
商品封装: PDFNU-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

TPH3208PS 650V、110mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）是一款常关型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。与硅器件相比，Transphorm GaN通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提高了效率。

商品特性

超低导通电阻
可焊侧翼引脚,增强自动光学检测(AOI)效果
100%进行非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
工作结温达175°C
符合RoHS标准
符合IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

-直流-直流转换器-螺线管和电机驱动器-负载开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	100A；35A
	导通电阻(RDS(on))	1.9mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	150W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	栅极电荷量(Qg)	104nC@10V
	输入电容(Ciss)	6.282nF
	反向传输电容(Crss)	63pF
	工作温度	-55℃~+175℃