TSM80N1R2CI C0G
1个N沟道 耐压:800V 电流:5.5A
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- 商品型号
- TSM80N1R2CI C0G
- 商品编号
- C7073992
- 商品封装
- ITO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 685pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷
商品特性
- 超结技术
- 因品质因数小而具备高性能
- 高耐用性
- 高换向性能
- 无铅电镀
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEE 2002/96/EC标准
- 根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品
- 无铅
- 符合标准
- 无卤
应用领域
-电源-照明