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TSM220NB06LCR RLG

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM220NB06LCR RLG
商品编号: C7073954
商品封装: PDFN-8(5.2x5.8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

AON1634将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行UIS和Rg测试
工作结温达175°C
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,并符合WEEE 2002/96/EC指令
根据IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

-无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	35A
	导通电阻(RDS(on))	22mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	23W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	12nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.314nF
	反向传输电容(Crss)	26pF
	工作温度	-55℃~+175℃