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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 399mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD4126和AOI4126采用SDMOS沟槽技术制造，该技术将出色的RDS(ON)与低栅极电荷相结合。其结果是在可控的开关行为下实现卓越的效率。这种通用技术非常适用于PWM、负载开关和通用应用。