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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 399mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 545pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD11S60和AOI11S60采用先进的αMOSTM高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容储能(EOSS),并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。