AOD7S60
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD7S60
- 商品编号
- C7073502
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 372pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AOD11S60和AOI11S60采用先进的αMOS™高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。