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RQ3E100ATTB
1个P沟道 耐压:30V 电流:31A 电流:10A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E100ATTB
- 商品编号
- C7060758
- 商品封装
- HSMT-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A；10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装（HSMT8）
- 无铅镀铅；符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关